casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG21M-M3/TR3
Número da peça de fabricante | BYG21M-M3/TR3 |
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Número da peça futura | FT-BYG21M-M3/TR3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BYG21M-M3/TR3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 120ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG21M-M3/TR3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG21M-M3/TR3-FT |
SSA34-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1J-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10G-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel