casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG10YHE3_A/H
Número da peça de fabricante | BYG10YHE3_A/H |
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Número da peça futura | FT-BYG10YHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10YHE3_A/H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 1600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMA (DO-214AC) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10YHE3_A/H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG10YHE3_A/H-FT |
VSSAF56HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15MQ040NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG23T-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel