casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG10MHM3_A/H
Número da peça de fabricante | BYG10MHM3_A/H |
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Número da peça futura | FT-BYG10MHM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10MHM3_A/H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10MHM3_A/H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG10MHM3_A/H-FT |
NGTD13R120F2WP
ON Semiconductor
S1MSP1-7
Diodes Incorporated
NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor
CDBZC0130R-HF
Comchip Technology
CDBU43-HF
Comchip Technology
MBR2150VGTR-E1
Diodes Incorporated
FFSB1065B-F085
ON Semiconductor
RS1MSP1-7
Diodes Incorporated
FFSB20120A-F085
ON Semiconductor
MBR5200VPC-E1
Diodes Incorporated
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel