casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG10MHE3_A/H
Número da peça de fabricante | BYG10MHE3_A/H |
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Número da peça futura | FT-BYG10MHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10MHE3_A/H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10MHE3_A/H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG10MHE3_A/H-FT |
SDT10A45P5-7
Diodes Incorporated
APD240VG-E1
Diodes Incorporated
NGTD13R120F2WP
ON Semiconductor
S1MSP1-7
Diodes Incorporated
NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor
CDBZC0130R-HF
Comchip Technology
CDBU43-HF
Comchip Technology
MBR2150VGTR-E1
Diodes Incorporated
FFSB1065B-F085
ON Semiconductor
RS1MSP1-7
Diodes Incorporated
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel