casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG10M-M3/TR3
Número da peça de fabricante | BYG10M-M3/TR3 |
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Número da peça futura | FT-BYG10M-M3/TR3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10M-M3/TR3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10M-M3/TR3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG10M-M3/TR3-FT |
SS13-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
CSA2M-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel