casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG10J/TR
Número da peça de fabricante | BYG10J/TR |
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Número da peça futura | FT-BYG10J/TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYG10J/TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10J/TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG10J/TR-FT |
SS25SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23L-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23L-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23L-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23LHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23LHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel