casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYC10D-600,127
Número da peça de fabricante | BYC10D-600,127 |
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Número da peça futura | FT-BYC10D-600,127 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYC10D-600,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 18ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYC10D-600,127 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYC10D-600,127-FT |
CD1005-B0130L
Bourns Inc.
CD1005-B0140L
Bourns Inc.
CD1005-B0140R
Bourns Inc.
CD1005-B0230
Bourns Inc.
CD1005-B0240
Bourns Inc.
CD1005-B0520
Bourns Inc.
CD1005-S01575
Bourns Inc.
CD1005-S0180
Bourns Inc.
CD1005-S0180R
Bourns Inc.
CD0603-S01575
Bourns Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel