casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUZ32
Número da peça de fabricante | BUZ32 |
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Número da peça futura | FT-BUZ32 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BUZ32 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 75W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ32 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BUZ32-FT |
IPP147N12N3GXKSA1
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IPP075N15N3GXKSA1
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M1A3P400-2PQ208
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5SGSMD4K2F40I3LN
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EP3SE260F1152I4N
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LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation