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Infineon Technologies BUZ31HXKSA1

Name: BUZ31HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BUZ31HXKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.5 (688 reviews)

Número da peça MFG: BUZ31HXKSA1

Quantidade disponível: 51940 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BUZ31HXKSA1.pdf

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BUZ31HXKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BUZ31HXKSA1
Número da peça futura	FT-BUZ31HXKSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SIPMOS®
BUZ31HXKSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	14.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1120pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	95W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO220-3
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ31HXKSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BUZ31HXKSA1-FT

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