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Infineon Technologies BUZ30AHXKSA1

Name: BUZ30AHXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BUZ30AHXKSA1
Price: 1.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (168 reviews)

Número da peça MFG: BUZ30AHXKSA1

Quantidade disponível: 62230 Peças

Preço de referência: USD 1.928

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BUZ30AHXKSA1.pdf

BUZ30AHXKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BUZ30AHXKSA1
Número da peça futura	FT-BUZ30AHXKSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SIPMOS®
BUZ30AHXKSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO220-3
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ30AHXKSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BUZ30AHXKSA1-FT

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