casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9Y19-100E,115
Número da peça de fabricante | BUK9Y19-100E,115 |
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Número da peça futura | FT-BUK9Y19-100E,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y19-100E,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5085pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 167W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacote / caso | SC-100, SOT-669 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y19-100E,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BUK9Y19-100E,115-FT |
PSMN2R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y41-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y4R8-60EX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN013-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN025-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R1-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-25YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel