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NXP USA Inc. BUK961R7-40E,118

Número da peça MFG
BUK961R7-40E,118
Quantidade disponível
65280 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
NXP USA Inc.
Descrição breve
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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BUK961R7-40E,118 Especificações

Número da peça de fabricante BUK961R7-40E,118
Número da peça futura FT-BUK961R7-40E,118
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchMOS™
BUK961R7-40E,118 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 105.4nC @ 5V
Vgs (máx.) ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 15010pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 324W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D2PAK
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUK961R7-40E,118 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição BUK961R7-40E,118-FT

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