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NXP USA Inc. BUK7Y25-80E/GFX

Name: BUK7Y25-80E/GFX
Brand: NXP USA Inc.
SKU: BUK7Y25-80E/GFX
Availability: InStock
Rating: 4.8 (440 reviews)

Número da peça MFG: BUK7Y25-80E/GFX

Quantidade disponível: 61110 Peças

Preço de referência: USD 0

Nosso preço: Temos um grande desconto, entre em contato conosco

Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: NXP USA Inc.

Descrição breve: TrenchMOS™ MOSFET N-CH LFPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BUK7Y25-80E/GFX.pdf

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BUK7Y25-80E/GFX Especificações

Número da peça de fabricante	BUK7Y25-80E/GFX
Número da peça futura	FT-BUK7Y25-80E/GFX
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchMOS™
BUK7Y25-80E/GFX Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	39A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	25.9nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	95W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso	SC-100, SOT-669
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUK7Y25-80E/GFX Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BUK7Y25-80E/GFX-FT

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