casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK7E1R9-40E,127
Número da peça de fabricante | BUK7E1R9-40E,127 |
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Número da peça futura | FT-BUK7E1R9-40E,127 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7E1R9-40E,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9700pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 324W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7E1R9-40E,127 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BUK7E1R9-40E,127-FT |
BST72A,112
NXP USA Inc.
PHW80NQ10T,127
NXP USA Inc.
PSMN004-55W,127
NXP USA Inc.
PSMN009-100W,127
NXP USA Inc.
PSMN020-150W,127
NXP USA Inc.
PSMN040-200W,127
NXP USA Inc.
BUK7905-40AIE,127
Nexperia USA Inc.
BUK7905-40AI,127
Nexperia USA Inc.
BUK7905-40ATE,127
Nexperia USA Inc.
BUK7907-40ATC,127
Nexperia USA Inc.
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel