casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK662R4-40C,118
Número da peça de fabricante | BUK662R4-40C,118 |
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Número da peça futura | FT-BUK662R4-40C,118 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK662R4-40C,118 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 199nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11334pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 263W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK662R4-40C,118 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BUK662R4-40C,118-FT |
PSMN009-100P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN015-110P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN017-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN030-150P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN035-150P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN050-80PS,127
NXP USA Inc.
PSMN057-200P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN070-200P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-60PSRQ
Nexperia USA Inc.
PSMN2R1-40PLQ
Nexperia USA Inc.
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel