casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / BU25H06-M3/P
Número da peça de fabricante | BU25H06-M3/P |
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Número da peça futura | FT-BU25H06-M3/P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | isoCink+™ |
BU25H06-M3/P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 12.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, BU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | isoCINK+™ BU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BU25H06-M3/P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BU25H06-M3/P-FT |
GBPC608-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC606-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC12005-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
EDF1BM-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF04M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF06M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF005M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF10M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF08M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DF02M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel