casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSZ440N10NS3GATMA1
Número da peça de fabricante | BSZ440N10NS3GATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSZ440N10NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSZ440N10NS3GATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta), 18A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 12µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 29W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ440N10NS3GATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSZ440N10NS3GATMA1-FT |
IRF7811A
Infineon Technologies
IRF7811APBF
Infineon Technologies
IRF7811ATR
Infineon Technologies
IRF7811ATRPBF
Infineon Technologies
IRF7811AVPBF
Infineon Technologies
IRF7811AVTR
Infineon Technologies
IRF7811AVTRPBF
Infineon Technologies
IRF7811TR
Infineon Technologies
IRF7811WGTRPBF
Infineon Technologies
IRF7811WTR
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel