casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / BSZ0910NDXTMA1
Número da peça de fabricante | BSZ0910NDXTMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSZ0910NDXTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSZ0910NDXTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Ta), 25A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 15V |
Potência - Max | 1.9W (Ta), 31W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-PowerVDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-WISON-8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0910NDXTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSZ0910NDXTMA1-FT |
IRF7307PBF
Infineon Technologies
IRF7307QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7309PBF
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Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS1500-1FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C8N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
5AGXBB1D4F35I5N
Intel
EP20K400CB652C8
Intel
EP4SGX290FF35C3N
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