casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS84,215
Número da peça de fabricante | BSS84,215 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSS84,215 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSS84,215 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 50V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 130mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 130mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250mW (Tc) |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS84,215 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS84,215-FT |
PSMN030-150B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-30BLEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN1R8-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN2R7-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R4-30BL,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R4-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel