casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS315PH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSS315PH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSS315PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSS315PH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 282pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS315PH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS315PH6327XTSA1-FT |
2SK2009TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BSS7728NH6327XTSA2
Infineon Technologies
FDN361BN
ON Semiconductor
NDS0610
ON Semiconductor
NDS356AP
ON Semiconductor
SI2314EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDN327N
ON Semiconductor
FDN339AN
ON Semiconductor
FDN302P
ON Semiconductor
SI2316DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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5CEBA5U19C8N
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