casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSS123L6433HTMA1
Número da peça de fabricante | BSS123L6433HTMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSS123L6433HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSS123L6433HTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 2.67nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 69pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123L6433HTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSS123L6433HTMA1-FT |
2N7002-T1-E3
Vishay Siliconix
2N7002E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2314EDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2315BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3400A-TP
Micro Commercial Co
2N7002-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies
FDN308P
ON Semiconductor
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel