casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSR316PH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSR316PH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSR316PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSR316PH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 360mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 360mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 170µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SC-59 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSR316PH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSR316PH6327XTSA1-FT |
SPP03N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60S5BKSA1
Infineon Technologies
SPP04N80C3XK
Infineon Technologies
SPP06N80C3XK
Infineon Technologies
SPP07N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60S5
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel