casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSR316PH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSR316PH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSR316PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSR316PH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 360mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 360mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 170µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SC-59 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSR316PH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSR316PH6327XTSA1-FT |
SPP03N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60S5BKSA1
Infineon Technologies
SPP04N80C3XK
Infineon Technologies
SPP06N80C3XK
Infineon Technologies
SPP07N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60S5
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation