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Infineon Technologies BSP296E6327

Name: BSP296E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP296E6327
Availability: InStock
Rating: 4.9 (306 reviews)

Número da peça MFG: BSP296E6327

Quantidade disponível: 60430 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSP296E6327.pdf

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BSP296E6327 Especificações

Número da peça de fabricante	BSP296E6327
Número da peça futura	FT-BSP296E6327
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SIPMOS®
BSP296E6327 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	364pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.79W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-SOT223-4
Pacote / caso	TO-261-4, TO-261AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP296E6327 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSP296E6327-FT

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