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Infineon Technologies BSP295E6327T

Name: BSP295E6327T
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP295E6327T
Availability: InStock
Rating: 4.6 (610 reviews)

Número da peça MFG: BSP295E6327T

Quantidade disponível: 20170 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: SIPMOS® MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSP295E6327T.pdf

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BSP295E6327T Especificações

Número da peça de fabricante	BSP295E6327T
Número da peça futura	FT-BSP295E6327T
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SIPMOS®
BSP295E6327T Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	368pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-SOT223-4
Pacote / caso	TO-261-4, TO-261AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP295E6327T Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSP295E6327T-FT

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