casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP171PL6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BSP171PL6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSP171PL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSP171PL6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 460µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT223-4 |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP171PL6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSP171PL6327HTSA1-FT |
IPU090N03L G
Infineon Technologies
IPU09N03LA G
Infineon Technologies
IPU09N03LB G
Infineon Technologies
IPU103N08N3 G
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IPU105N03L G
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IPU10N03LA
Infineon Technologies
IPU135N03L G
Infineon Technologies
IPU135N08N3 G
Infineon Technologies
IPU13N03LA G
Infineon Technologies
IPU20N03L G
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel