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Infineon Technologies BSP171PE6327T

Número da peça MFG
BSP171PE6327T
Quantidade disponível
27320 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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BSP171PE6327T Especificações

Número da peça de fabricante BSP171PE6327T
Número da peça futura FT-BSP171PE6327T
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series SIPMOS®
BSP171PE6327T Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 460µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 1.8W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-SOT223-4
Pacote / caso TO-261-4, TO-261AA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP171PE6327T Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição BSP171PE6327T-FT

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