casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM75GB170DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM75GB170DN2HOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSM75GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM75GB170DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 110A |
Potência - Max | 625W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM75GB170DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM75GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation
APTGT75DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel