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Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1

Número da peça MFG
BSM75GB170DN2HOSA1
Quantidade disponível
90680 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
- IGBT 1700V 110A 625W MODULE
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Módulos
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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BSM75GB170DN2HOSA1 Especificações

Número da peça de fabricante BSM75GB170DN2HOSA1
Número da peça futura FT-BSM75GB170DN2HOSA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
BSM75GB170DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo IGBT -
Configuração Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 1700V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 110A
Potência - Max 625W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A
Corrente - corte de coletor (máx.) -
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce 11nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / caso Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor Module
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM75GB170DN2HOSA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição BSM75GB170DN2HOSA1-FT

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