casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM75GB120DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM75GB120DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM75GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM75GB120DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 105A |
Potência - Max | 625W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1.5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 5.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM75GB120DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM75GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation
APTGT75DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
XCS40XL-5BG256C
Xilinx Inc.
XC7S15-1CPGA196I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation