casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM75GAR120DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM75GAR120DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM75GAR120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM75GAR120DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30A |
Potência - Max | 235W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 400µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM75GAR120DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM75GAR120DN2HOSA1-FT |
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
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APTGT75A120TG
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APTGT75A170D1G
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APTGT75DA120D1G
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APTGT75DA120T1G
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APTGT75DA170D1G
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APTGT75DA170T1G
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APTGT75DH120TG
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APTGT75DH60T1G
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