casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM75GAR120DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM75GAR120DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM75GAR120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM75GAR120DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 30A |
Potência - Max | 235W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 400µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM75GAR120DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM75GAR120DN2HOSA1-FT |
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation
APTGT75DH60T1G
Microsemi Corporation
XC4010XL-09TQ144C
Xilinx Inc.
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EPF6010AFC256-2
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
LCMXO2-256ZE-3UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation