casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM75GAL120DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM75GAL120DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM75GAL120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM75GAL120DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single Switch |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 105A |
Potência - Max | 625W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1.4mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 5.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM75GAL120DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM75GAL120DN2HOSA1-FT |
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation
XA3S500E-4FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG456I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484
Microsemi Corporation
LFX125EB-04FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel