casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM50GP60BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM50GP60BOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSM50GP60BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM50GP60BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Full Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 70A |
Potência - Max | 250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 25A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GP60BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM50GP60BOSA1-FT |
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I4L
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
Intel
EP2SGX90FF1508C5N
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1SGX40DF1020C7N
Intel