casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM50GD120DN2G
Número da peça de fabricante | BSM50GD120DN2G |
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Número da peça futura | FT-BSM50GD120DN2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM50GD120DN2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Full Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 78A |
Potência - Max | 400W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 33nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GD120DN2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM50GD120DN2G-FT |
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
AGLE600V2-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F484C7N
Intel
EP1K30FC256-3AA
Intel
5SGSMD4K2F40C3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
10M08SAM153I7G
Intel