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Infineon Technologies BSM50GD120DN2E3226BOSA1

Name: BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Price: 107.52 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (321 reviews)

Número da peça MFG: BSM50GD120DN2E3226BOSA1

Quantidade disponível: 44160 Peças

Preço de referência: USD 107.52

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: - IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - IGBTs - Módulos

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSM50GD120DN2E3226BOSA1.pdf

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BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Número da peça futura	FT-BSM50GD120DN2E3226BOSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo IGBT	-
Configuração	Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	50A
Potência - Max	350W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 50A
Corrente - corte de coletor (máx.)	1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce	3.3nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / caso	Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Module
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSM50GD120DN2E3226BOSA1-FT

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