casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM50GB170DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM50GB170DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM50GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM50GB170DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 72A |
Potência - Max | 500W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 8nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GB170DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM50GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T2G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-3N
Intel
ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX048H2F34I2SG
Intel
5SGSED6N2F45I3L
Intel
A1010B-PL44C
Microsemi Corporation
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
EP1AGX20CF780I6
Intel
EP1AGX60DF780I6N
Intel