casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM50GAL120DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM50GAL120DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM50GAL120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM50GAL120DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single Switch |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 78A |
Potência - Max | 400W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GAL120DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM50GAL120DN2HOSA1-FT |
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H120TG
Microsemi Corporation
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel