casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM35GB120DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM35GB120DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM35GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM35GB120DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50A |
Potência - Max | 280W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM35GB120DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM35GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG256
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-2N
Intel
EP3SL50F484I4N
Intel
EP3CLS150F484I7N
Intel
5SGSMD6K3F40I3N
Intel
XC5VLX85T-2FF1136C
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676I
Microsemi Corporation