casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM200GB120DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM200GB120DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM200GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM200GB120DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 290A |
Potência - Max | 1400W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 4mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM200GB120DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM200GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484Q
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
A40MX04-PLG44
Microsemi Corporation
LFE2-12E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780I6N
Intel
EPF10K200SBC356-2X
Intel