casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM200GB120DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM200GB120DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM200GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM200GB120DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 290A |
Potência - Max | 1400W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 4mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM200GB120DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM200GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170D3G
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APTGT30A170D1G
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APTGT30A60T1G
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APTGT30DA170D1G
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APTGT30DA170T1G
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APTGT30DDA60T3G
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APTGT30DSK60T3G
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APTGT30H60T3G
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APTGT30SK170D1G
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