casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / BSM180D12P3C007
Número da peça de fabricante | BSM180D12P3C007 |
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Número da peça futura | FT-BSM180D12P3C007 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM180D12P3C007 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Potência - Max | 880W |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM180D12P3C007 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM180D12P3C007-FT |
FDZ1905PZ
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