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Rohm Semiconductor BSM180D12P3C007

Número da peça MFG
BSM180D12P3C007
Quantidade disponível
46930 Peças
Preço de referência
USD 420.568
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Data de envio
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fabricante
Rohm Semiconductor
Descrição breve
- SIC POWER MODULE
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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BSM180D12P3C007 Especificações

Número da peça de fabricante BSM180D12P3C007
Número da peça futura FT-BSM180D12P3C007
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
BSM180D12P3C007 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 50mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Potência - Max 880W
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor Module
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM180D12P3C007 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição BSM180D12P3C007-FT

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