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Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202

Número da peça MFG
BSM180C12P2E202
Quantidade disponível
54070 Peças
Preço de referência
USD 453.6
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Data de envio
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fabricante
Rohm Semiconductor
Descrição breve
- BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
BSM180C12P2E202.pdf
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BSM180C12P2E202 Especificações

Número da peça de fabricante BSM180C12P2E202
Número da peça futura FT-BSM180C12P2E202
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
BSM180C12P2E202 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 204A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (máx.) +22V, -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 10V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 1360W (Tc)
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor Module
Pacote / caso Module
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM180C12P2E202 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição BSM180C12P2E202-FT

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