casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM15GP60BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM15GP60BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM15GP60BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM15GP60BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 25A |
Potência - Max | 100W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 15A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM15GP60BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM15GP60BOSA1-FT |
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F27E2LG
Intel
10M50DAF672C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
EP2C70F896C6N
Intel
EP1C4F400C8
Intel