casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM150GB170DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM150GB170DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM150GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM150GB170DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 220A |
Potência - Max | 1250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1.5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 20nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM150GB170DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM150GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
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APTGT20A60T1G
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APTGT20DDA60T3G
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APTGT20DSK60T3G
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APTGT20H60T3G
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APTGT20X60T3G
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APTGT25A120D1G
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APTGT25A120T1G
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APTGT25DA120D1G
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