casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM150GB170DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM150GB170DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM150GB170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM150GB170DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 220A |
Potência - Max | 1250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1.5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 20nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM150GB170DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM150GB170DN2HOSA1-FT |
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YU484C8G
Intel
EP3CLS70U484C7
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
10CL006YE144C8G
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel
5AGXMA7G4F35C5N
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel