casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM150GB120DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BSM150GB120DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM150GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM150GB120DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 210A |
Potência - Max | 1250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 2.8mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM150GB120DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM150GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I2LN
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EP4CGX15BF14A7N
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XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD9A5U19C7N
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EPF10K50VBC356-3
Intel