casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM10GP120BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM10GP120BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM10GP120BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM10GP120BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 20A |
Potência - Max | 100W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 10A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 600pF @ 25V |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM10GP120BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM10GP120BOSA1-FT |
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K60EFC144-1X
Intel
XC4010XL-3BG256C
Xilinx Inc.
XCV150-4BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F31C4N
Intel
EP20K200EQI240-2N
Intel
EPF10K50VQC240-2N
Intel