casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Full Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 15A |
Potência - Max | 80W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 10A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 400µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 530pF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM10GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation