casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Full Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 15A |
Potência - Max | 80W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 10A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 400µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 530pF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM10GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200FC484-2N
Intel
5SGXEA7N3F40C2LN
Intel
A42MX16-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780I7N
Intel
EP1K50QC208-1N
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel