casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Full Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 15A |
Potência - Max | 80W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 10A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 400µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 530pF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM10GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ208C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
10AX027E2F29I2SG
Intel
5SGXEA5N3F45I4N
Intel
LFE3-70EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40I3SG
Intel
EP20K200EBC652-2
Intel
EP2AGZ350FF35I3
Intel
EP4SGX70HF35I4N
Intel