casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM10GD120DN2BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM10GD120DN2BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM10GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
BSM10GD120DN2BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | - |
Termistor NTC | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM10GD120DN2BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM10GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
XCS10XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C7N
Intel
EP2S30F484C3N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
EP4SGX180DF29C4N
Intel
EP4SGX230DF29C4
Intel
EPF10K50VQC240-1N
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel