casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM100GP60BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM100GP60BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM100GP60BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM100GP60BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 135A |
Potência - Max | 420W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 4.3nF @ 25V |
Entrada | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GP60BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM100GP60BOSA1-FT |
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel