casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM100GD60DLCBOSA1
Número da peça de fabricante | BSM100GD60DLCBOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM100GD60DLCBOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM100GD60DLCBOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Full Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 130A |
Potência - Max | 430W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 4.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GD60DLCBOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM100GD60DLCBOSA1-FT |
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel