casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM100GD120DN2BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM100GD120DN2BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM100GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM100GD120DN2BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150A |
Potência - Max | 680W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 2mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GD120DN2BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM100GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
XC4010XL-09TQ144C
Xilinx Inc.
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EPF6010AFC256-2
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
LCMXO2-256ZE-3UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation