casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM100GD120DN2BOSA1
Número da peça de fabricante | BSM100GD120DN2BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM100GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM100GD120DN2BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150A |
Potência - Max | 680W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 2mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GD120DN2BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM100GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
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A3P125-TQG144
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M1A3P400-2FG256
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LFE2M70E-6FN1152I
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A3PN030-Z2VQG100
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5SGXMA4K1F40C2LN
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5SGXMA4K3F40C2N
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LCMXO640C-3B256I
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LFE3-17EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ABC356-4
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EPF10K20RC208-4N
Intel