casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BSM100GB120DN2KHOSA1
Número da peça de fabricante | BSM100GB120DN2KHOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSM100GB120DN2KHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BSM100GB120DN2KHOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 145A |
Potência - Max | 700W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 2mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GB120DN2KHOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSM100GB120DN2KHOSA1-FT |
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU170G
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APTGT150DU60TG
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APTGT150SK120D1G
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APTGT150SK120TG
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APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
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