casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / BSL806NH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSL806NH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSL806NH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSL806NH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 10V |
Potência - Max | 500mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TSOP-6-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL806NH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSL806NH6327XTSA1-FT |
FDG6304P
ON Semiconductor
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A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
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5SGXMA9N1F45C2LN
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Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
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EP20K60EQC208-2XN
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